kSA 400 RHEED圖形分析系統，適合各種薄膜沉積系統（如：脈沖激光沉積設備PLD,濺射系統Sputtering,分子束外延MBE, 金屬有機化學氣相沉積MOCVD等）上的RHEED系統。目前第四代系統結合優質的硬件和軟件，為客戶提供豐富的RHEED分析信息。

原理

軟件分析RHEED反射式高能電子衍射，對來自樣品薄膜的衍射圖像進行采集，并通過系統自動計算測量晶格間距、共振長度和振動強度，同時通過衍射條紋的強度震蕩曲線檢測薄膜沉積速率。

分析功能

同時測量晶格間距、相干長度和晶體表面結構演化；薄膜沉積速率和沉積厚度分析；三維衍射圖像分析等。

基本配置

     ? CCD系統：標準型，高分辨型
     ? 光學系統：RHEED定量分析及成像分析
     ? 標準接口法蘭（可定制）

主要特點和功能

     ? 衍射圖像采集CCD和光學系統

     ? 實時的薄膜生長速率測量

     ? 實時晶格間距和表面均勻性分析

     ? 貼心的技術支持

     ? 多個品牌的電子槍全面控制功能可供選擇

     ? 適用于多種薄膜沉積系統：MBE、 PLD、濺射和電子束蒸發等

     ? 持續不斷的軟件系統更新

可選功能

     ? 包含鎖相外延生長（PLE）

     ? 低能電子衍射（LEED）

     ? 俄歇電子能譜（Auger）

     ? 光電子能譜（XPS）等

實際應用

主要用于安裝在真空薄膜沉積設備上，在薄膜生長過程中，對該薄膜材料的多項物理特性進行實時原位的分析，進而進一步指導和優化薄膜的生長工藝。