【視頻教程】夾層型LEC中的P-I-N結構和發射區發表時間：2022-05-27 15:53 本視頻演示了如何將光電化學電池制作為夾在兩個電極之間的單一發射有機層，從而實現經濟高效的照明應用。理想器件通常被認為是p-i-n結構，在電極上有摻雜區，這有利于平衡空穴和電子注入。在這里，我們首先介紹一種基于光譜光電流響應測量并結合光學建模的方法來確定夾層LEC中本征區的中心。再結合電容測量，產生p-i-n結構演變的詳細圖像。其次，通過模擬實驗來確定角度相關發射光譜發射區。 Phelos OLED光譜測量系統/角光譜分析儀
（點擊圖片查看設備詳情） Phelos用于測量OLED、鈣鈦礦LED及其他發光器件的發射光譜特性和極化角，同時也可測量器件的s和p偏振光譜、發射光譜與角度的關系，計算出發射層中激子的發光角度及位置分布。 PL測量功能：有機、量子點、鈣鈦礦薄膜發射光譜和極化角度 EL測量功能：OLED、鈣鈦礦LED和其他發光器件 Setfos 模擬仿真軟件
（點擊圖片查看設備詳情） Setfos用于各種類型太陽能電池（包括鈣鈦礦、有機、疊層、硅基電池等）、鈣鈦礦LED、OLED器件及相關光電材料性能的仿真系統，對器件設計、構建、光學性能、電學性能以及光電材料的性能進行模擬計算和優化。 四個模塊：吸收模塊、散射/進階光學模塊、漂移擴散模塊、光發射模塊 Paios 太陽能電池/OLED瞬態特性測試系統
（點擊圖片查看設備詳情） Paios用于太陽能電池瞬態光電流譜TPC，瞬態光電壓譜TPV，光強相關性測試、深能級瞬態譜DLTS等進行測量分析，全面深入的表征器件的載流子遷移率、載流子壽命和濃度、載流子動力學過程、摻雜和陷阱分布等性能參數，從而對太陽能電池/OLED器件和其他有機半導體中的載流子遷移率進行全面有效的分析和測量。 ? 瞬態光電流譜TPC ? 瞬態光電壓譜TPV ? 開路電壓衰減OCVD ? 光強相關性測試、變光強J-V曲線，Isc-光強、Voc-光強，理想因子等 ? 線性增壓載流子抽取Photo-CELIV、Dark-CELIV、Delaytime-CELIV等 ? 電荷抽取CE ? 暗注入DIT ? 強度調制光電流譜IMPS ? 強度調制光電壓譜IMVS ? 阻抗譜IS ? 電容電壓譜CV ? 深能級瞬態譜DLTS ? 瞬態電致發光譜TEL ? 電流-電壓-發光譜 J-V-L等 ? 變溫測試臺：-120 °C to 150 °C |
