水溶性NaCl薄膜上GaAs模板的分子束外延

目前III-V族化合物襯底價格普遍偏高，許多技術由此受到了其成本的限制。因此，能夠重復使用原始襯底是一種可行的解決方法，但現有的襯底再利用技術存在明顯缺陷。在這篇文章中，研究人員討論了一種通過分子束外延在常用（001）GaAs襯底上沉積水溶性NaCl薄膜的新方法。利用原位電子束和低溫成核層，在連續的NaCl層上生長單晶GaAs模板。模板層可以通過NaCl的溶解而從襯底上快速去除，Lift-off（剝離工藝）后的原始晶片rms表面粗糙度僅增加了0.2nm。

產品推薦

1. kSA BandiT實時襯底溫度測試儀 是一種非接觸、實時測量半導體襯底表面溫度的測試系統，采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化的原理，實時測量晶片/襯底的溫度。

2. kSA ACE 原位MBE束流監測系統 是一種高靈敏度的在線原位原子束流監測設備，它利用原子吸收光譜的原理來測量對應原子種類的通量率。該設備可實時原位檢測原子束流密度、生長速率，實現對薄膜成分控制。

文獻信息