
主要內容
為了充分挖掘硅異質結太陽能電池的性能潛力,需要減少寄生吸收和遮擋陰影損耗。然而,將氫化納米晶體氧化硅(nc-SiOx:H)窗口層和鍍銅電極轉化為具有成本效益和可擴展的生產環境仍是硅異質結技術的障礙之一。
在這篇文章中,蘇州大學張曉宏、楊新波等人通過開發一種工業規模的高頻等離子體增強化學氣相沉積系統來應對這個挑戰,該系統具有小化駐波效應,能夠沉積具有優異電子選擇性、低寄生吸收和高均勻性的摻雜nc-SiOx:H。研究團隊展示了seed-free鍍銅,從而產生具有高縱橫比和低金屬含量的網格。通過實現摻雜的nc-SiOx:H窗口層,采用具有絲網印刷銀電極和鍍銅電極的M6尺寸雙面硅異質結器件,分別獲得了25.98%和26.41%的認證效率。這些結果強調了硅異質結技術的應用潛力,并降低了其大規模制造的門檻。文獻信息
Industrial-scale deposition of nanocrystalline silicon oxide for 26.4%-efficient silicon heterojunction solar cells with copper electrodes
Cao Yu, Kun Gao, Chen-Wei Peng, Chenran He, Shibo Wang, Wei Shi, Vince Allen, Jiteng Zhang, Dengzhi Wang, Gangyu Tian, Yifan Zhang, Wenzhu Jia, Yuanhong Song, Youzhong Hu, Jack Colwell, Chunfang Xing, Qing Ma, Huiting Wu, Liangyuan Guo, Gangqiang Dong, Hao Jiang, Haihong Wu, Xinyu Wang, Dacheng Xu, Kun Li, Jun Peng, Wenzhu Liu, Daniel Chen, Alison Lennon*, Xinmin Cao, Stefaan De Wolf, Jian Zhou*, Xinbo Yang* & Xiaohong Zhang*
https://www.nature.com/articles/s41560-023-01388-4